title: HBM产业链全图 date: 2026-06-22

HBM产业链全图

::: info 更新时间 2026-06-22 | v1.0 初版 :::

一句话结论

HBM产业链=存储原厂（SK海力士/三星/美光）→封装厂（台积电CoWoS）→设备商（应用材料/泛林）→材料商（Tokheca/昭和电工）→A股仅有封装测试厂（通富微电/华天科技）参与封装环节，纯HBM材料/设备暂无A股标的。

在AI算力链中的位置

HBM产业链全图：

【上游：材料/设备】
    ├── 硅片（Shin-Etsu/SUMCO）→ DRAM晶圆
    ├── 靶材（Nikko/霍尼韦尔）→ 薄膜沉积
    ├── 电子气体（林德/空气化工）→ 刻蚀/沉积
    └── 封装材料（Tokheca/昭和电工）→ Underfill/热界面材料

【中游：HBM制造】
    ├── SK海力士：HBM3E量产最强（70%+份额），2025年HBM4
    ├── 三星电子：HBM3E量产中（25%份额）
    └── 美光科技：HBM3E量产较晚（<5%份额）

【封装：HBM+GPU CoWoS封装】
    └── 台积电（CoWoS-S）→ 日月光/矽品（后段BGA）

【下游：AI GPU】
    ├── NVIDIA H100/H200/H20（必须用HBM3E）
    ├── AMD MI300X（必须用HBM3E）
    └── 亚马逊Trainium/谷歌TPU（自研+必须用HBM）

【A股映射】
    ├── 封装测试：通富微电（AMD MI300X封装）/ 华天科技
    ├── 封装设备：在研（无纯正标的）
    └── HBM材料：无纯正A股标的

技术原理（小白版）

HBM的制造流程

Step 1：DRAM晶圆加工
    硅片 → 薄膜沉积 → 光刻 → 刻蚀 → 离子注入 → 金属化
    （应用材料/泛林/东京电子提供设备）

Step 2：TSV（硅通孔）加工
    在DRAM颗粒上钻纳米级通孔
    （最关键工艺，良率决定成本）

Step 3：3D堆叠键合
    8-12层DRAM颗粒用混合键合（Hybrid Bonding）堆叠
    （SK海力士用Thermocompression Bonding，台积电用Cu-Cu Hybrid Bonding）

Step 4：HBM颗粒测试
    8层/12层HBM全量测
    （泰瑞达/爱德万提供测试机台）

Step 5：GPU CoWoS封装
    HBM Die + GPU Die通过硅中介层互联
    （台积电CoWoS封装，日月光后段BGA）

HBM vs HBM3E vs HBM4

产业链拆解

HBM材料端

HBM设备端

A股HBM产业链完整标的

核心跟踪指标

当前市场分歧

多头逻辑：

• AI大模型爆发 → HBM需求增速远超存储行业整体
• SK海力士HBM3E毛利率高于普通DRAM，产能切换支撑价格
• HBM4（2025-2026年）单价更高，量价齐升

空头逻辑：

• 三星/美光疯狂扩产，2025年HBM可能过剩
• HBM比DDR5贵太多，HBM4推广可能受成本制约
• 中国存储厂商（长鑫存储）正在追赶，中长期竞争加剧

反证条件

出现以下情况，说明HBM产业链景气低于预期：

1. HBM3E现货价格连续3个月下跌：供给开始过剩
2. SK海力士将更多DRAM产能切换回普通服务器DDR5：HBM需求没有想象的强
3. 台积电台积电CoWoS产能不再紧张：GPU+HBM封装瓶颈缓解
4. 通富微电AMD订单可见性缩短至3个月以内：大客户需求减弱

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